次世代デバイスを搭載した高性能ハイブリッドSiCモジュール

SiCを使用したSBD（ショットキーバリアダイオード）と、Siを使用したIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）で構成される ハイブリッドSiCモジュールです。
定格電圧1200Vと1700Vで幅広い系列をご用意。
さまざまな産業用機器の省エネや小型化に貢献します。

特長

• 電力変換時の損失を大幅に低減し、装置の省エネに貢献
• 高周波動作が可能で、フィルタの小型化を実現

大幅な損失低減

従来のSiデバイスに比べて、ダイオードのスイッチング損失とIGBTのターンオン損失を大幅に低減。
これにより、電力変換装置全体の省エネ化を実現。

富士電機製インバータ※1において、デバイストータル損失を従来機種比で約28％低減しました。

※1：大容量インバータ「FRENIC-VG シリーズ スタックタイプ（690V 系列）」

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