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富士電機のハイブリッドSiCモジュール

SiC(炭化ケイ素)を使用したSBD(ショットキーバリアダイオード)と、Siを使用したIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)で構成されるハイブリッドSiCモジュールは、従来のSiデバイスに比べてダイオードのスイッチング損失とIGBTのターンオン損失の大幅な低減が可能となり、電力変換装置の大幅な省エネに貢献します。
  • 高性能・低損失チップ「第6世代VシリーズIGBT+SiC-SBD」で構成
  • 電力変換時の損失を大幅に低減し、装置の省エネに貢献
  • 高周波動作が可能、フィルタの小型化を実現
  • 600V~3300Vの幅広いラインアップで様々なニーズに対応
  • 従来のSi-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
 

富士電機のハイブリッドSiCモジュール


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