2022.06.10
富士電機のハイブリッドSiCモジュール
SiC（炭化ケイ素）を使用したSBD（ショットキーバリアダイオード）と、Siを使用したIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）で構成されるハイブリッドSiCモジュールは、従来のSiデバイスに比べてダイオードのスイッチング損失とIGBTのターンオン損失の大幅な低減が可能となり、電力変換装置の大幅な省エネに貢献します。
- 高性能・低損失チップ「第6世代VシリーズIGBT＋SiC-SBD」で構成
- 電力変換時の損失を大幅に低減し、装置の省エネに貢献
- 高周波動作が可能、フィルタの小型化を実現
- 600V～3300Vの幅広いラインアップで様々なニーズに対応
- 従来のSi-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
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